導讀:紫光國芯官宣,其自主研發(fā)的PSRAM芯片系列產品正式發(fā)布。
7 月 1 日消息,紫光國芯官宣,其自主研發(fā)的PSRAM(注:偽靜態(tài)隨機存儲器)芯片系列產品正式發(fā)布。
此次上新的 PSRAM 產品兼容業(yè)界主流接口協(xié)議 Xccela,容量覆蓋 32Mb、64Mb 和 128Mb,采用 BGA24L 超薄封裝,同時也支持 KGD 產品形式。該系列產品可為物聯(lián)網設備、穿戴電子產品和端側 AI 產品打造存儲解決方案。
紫光國芯 PSRAM 產品在進一步實現(xiàn)芯片尺寸緊湊的同時,將產品速度提升至 1066Mbps,可實現(xiàn)最高 17.06Gb/s 的帶寬性能;還可支持在線動態(tài)可配置 X8、X16 模式,以適配不同應用的需求。
為滿足物聯(lián)網終端設備對長續(xù)航的需求,紫光國芯 PSRAM 系列產品支持包括 Half Sleep 的低功耗設計,主力產品支持常規(guī) 1.8v 低壓供電,即將上市的 256Mb PSRAM 新品可支持 1.8v&1.2v 雙壓和 1.2v DVFS0.6v 兩種超低功耗模式。
此外,基于工規(guī)級寬溫域的設計,該系列產品可適應物聯(lián)網、智能穿戴等各類復雜應用場景的多樣化需求。